Корпорация развития Зеленограда
Казенное предприятие города Москвы
/ Научно-технические семинары в Корпорации.

Научно-технические семинары в Корпорации.

126
05.10.2016
КП «КРЗ» – Техноюнити, в соответствии с планом работы, утвержденном на Совете Кластера, проводит серию научно-технических семинаров с привлечением иностранных специалистов.

Семинары предназначены для сотрудников компаний – участников кластера, для ознакомления с мировыми научно-техническими разработками и расширения области знаний в профессиональной среде.

04 октября состоялся семинар «Моделирование электрических характеристик СБИС», участникам были предложены следующие доклады:
•    Мемристорный генератор на триггере Шмитта с несколькими устойчивыми состояниями динамического равновесия
•    Анализ процесса оптимизации аналоговых цепей на основе функции Ляпунова
•    Применение принципа максимума Понтрягина для задачи оптимизации цепей
•    Адаптивный алгоритм случайного поиска для задач параметрической идентификации моделей электронных компонентов
•    Подсистема параметрической оптимизации КМОП операционных усилителей
•    Моделирование возмущенных режимов схем фазовой автоподстройки частоты на основе передаточных характеристик блоков
•    Аппроксимация рациональных передаточных функций на основе интегрального критерия точности
•    Временной анализ цифровых схем с учетом сложных логических корреляций
•    Мемристорный генератор на триггере Шмитта с несколькими устойчивыми состояниями динамического равновесия
•    Анализ процесса оптимизации аналоговых цепей на основе функции Ляпунова
•    Применение принципа максимума Понтрягина для задачи оптимизации цепей
•    Адаптивный алгоритм случайного поиска для задач параметрической идентификации моделей электронных компонентов
•    Подсистема параметрической оптимизации КМОП операционных усилителей
•    Моделирование возмущенных режимов схем фазовой автоподстройки частоты на основе передаточных характеристик блоков
•    Аппроксимация рациональных передаточных функций на основе интегрального критерия точности
•    Временной анализ цифровых схем с учетом сложных логических корреляций

Также прошла первая часть семинара «Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС», на нем были предложены доклады:
•    Эквалайзер с решающей обратной связью и активной индуктивностью для высокоскоростного приемника
•    СВЧ 3D сборка на полиимидном шлейфе для систем в корпусе
•    Схемотехника электронных устройств, работающих в условиях электромагнитных помех
•    Проектирование интегральных схем с FinFET транзисторами: вызовы и решения
•    Моделирование и проектирование МИС малошумящего усилителя со встроенной антенной для диапазона 57-64 ГГц на нитриде галлия
•    Особенности проектирования и изготовления МИС СВЧ GaN  фазовращателей
•    Разработка СВЧ фазовращателя на основе технологии КНИ  0,18 мкм
•    Интегральный шестиразрядный векторный фазовращатель S-диапазона частот со сниженной ошибкой установки фазы
•    Интегральный цифровой 6-битный аттенюатор для диапазона 8-12 ГГц
•    Контроль однородности партии типовых микросхем при измерении  радиочастотных характеристик

Вторая часть семинара «Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС» пройдет 6 октября, по адресу Зеленоград улица Юности дом 8, сессионный зал 2 (4й этаж, комн.413), начало в 10.00.

Приглашаются все, для кого представляет профессиональный интерес доклады :
•    Анализ искажений от импульсов в истоках коммутирующих  транзисторов в ЦАП с коммутацией токов
•    14-разрядный конвейерный АЦП с быстродействием 100 МВыб/с
•    Системы радиочастотной идентификации: применение, разработки, развитие.
•    Микросхемотехника аналоговых интерфейсов систем электрохимической импедансной спектроскопии
•    Сравнительный анализ элементов памяти и усилителей считывания для высокотемпературных СБИС ОЗУ
•    Интегральный преобразователь напряжения на переключаемых  конденсаторах
•    Методика автоматизированной генерации и анализа базовых конструктивов для проектирования блоков динамической и  статической защиты интегральных схем от ЭСР
•    Инструментальные и мультидифференциальные усилители датчиковых систем на основе новой микросхемы базового структурного кристалла MH2XA010
•    Наноразмерный эффект в планарной индуктивности с технологией «проводящая пленка в токовом кольце»